杭州某半导体器件集成电路芯片生产厂，晶圆处里期间中生产含硅、氟的特殊性电镀废水处里工艺，设计处里总量1200吨/日。电镀废水处里工艺含量比较复杂，所含nm级硅颗料及盐酸，传统与现代处里做法无从考核标准。 污废水 化学物质及渠道 最主要的生态破坏物 ：悬浊液硅（100-500nm粒度分布）、氟阴离子（200-300mg/L）、异丙醇 来原加工过程 ：晶圆刻蚀污水（45%）、CMP电化学机诫拋光污水（40%）、设配消毒水（15%） 进行处理艺环节 革新按照"检查是否沉垫+特殊膜拆分"能力路经： 钙盐滤渣 ：添加氯化钙我们要除氟化合物（转换成CaF2沉定） 斜管沉淀池响应 ：分手后复合斜板沉淀池剂改变溶液硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm内径膜截流微细颗粒剂 反参透设备 ：脱盐率>98%，收旧率75% 减压蒸馏成果 ：浓水段变现氟化物零废气 后面治疗效果 氟化物有机废气浓度：<8mg/L（低过中国三级准则10mg/L） 硅占比：<5mg/L 水自然资源循环率：70%代替冷去塔补湿 垃圾减轻药量：多效蒸发食物残渣量较传统式生产技术避免60%